Wat is LED epitaxiale wafergroei?

Dit is een belangrijke stap in de productie van LED-chips. Meestal wordt gebruik gemaakt van Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD)-technologie. Bij dit proces worden gassen die metaal-organische verbindingen bevatten, zoals gallium (Ga), indium (In) en een stikstofbron (N), gebruikt om epitaxiale halfgeleiderlagen op een substraatmateriaal (zoals een saffiersubstraat) te laten groeien in een hoge mate. -temperatuur, lagedrukreactiekamer. Voor de gewone op galliumnitride (GaN) gebaseerde LED's kunt u bijvoorbeeld, door de stroomsnelheid van het reactiegas, de temperatuur en druk en andere parameters nauwkeurig te regelen, epitaxiale lagen laten groeien met een specifieke structuur en eigenschappen, waarvan de dikte doorgaans in de buurt van enkele microns. De kwaliteit van deze epitaxiale lagen heeft rechtstreeks invloed op de lichtopbrengst, de kleur en andere kenmerken van de LED.